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FQP13N50
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQP13N50
- 商品编号
- C10441
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00216千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):0.43Ω@10V,6.25A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):60nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):170W,输入电容(Ciss):2300pF,输出电容(Coss):320pF,连续漏极电流(Id):12.5A,配置:半桥,阈值电压(Vgs(th)):5V@0.25mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.43Ω@10V,6.25A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 输入电容(Ciss) | 2300pF | |
| 输出电容(Coss) | 320pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 配置 | 半桥 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@0.25mA |
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