反向传输电容(Crss):66pF,导通电阻(RDS(on)):0.16Ω@10V,15.4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):137nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:-,耗散功率(Pd):240W,输入电容(Ciss):2800pF,输出电容(Coss):930pF,连续漏极电流(Id):24.3A,阈值电压(Vgs(th)):3.9V@1.2mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.16Ω@10V,15.4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 137nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 输入电容(Ciss) | 2800pF | |
| 输出电容(Coss) | 930pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 24.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@1.2mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥26.03/个 |
| 10+ | ¥22.28/个 |
| 25+ | ¥20.05/个 |
| 100+ | ¥17.79/个 |
| 500+ | ¥16.75/个 |
| 1000+ | ¥16.28/个 |
整盘
单价
整盘单价¥18.446
25 PCS/盘
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