反向传输电容(Crss):55pF,导通电阻(RDS(on)):0.142Ω@2.5V,2.7A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.6W,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):405pF,输出电容(Coss):75pF,连续漏极电流(Id):3.1A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.142Ω@2.5V,2.7A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.369/个 |
| 100+ | ¥0.292/个 |
| 300+ | ¥0.252/个 |
| 3000+ | ¥0.217/个 |
| 6000+ | ¥0.206/个 |
| 9000+ | ¥0.198/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.19964
3000 PCS/盘
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