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SI2312BDS-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI2312BDS-T1-GE3
- 商品编号
- C10490
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000035千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.047Ω@1.8V,4.1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.75W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):0.85V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.047Ω@1.8V,4.1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.75W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.85V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.57/个 |
| 10+ | ¥2.04/个 |
| 30+ | ¥1.82/个 |
| 100+ | ¥1.509/个 |
| 500+ | ¥1.225/个 |
| 1000+ | ¥1.156/个 |
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