反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):0.45Ω@4.5V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):4.1nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.7W,耗散功率(Pd):1.7W,输入电容(Ciss):210pF,输出电容(Coss):28pF,连续漏极电流(Id):1.6A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.45Ω@4.5V,1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.7W | |
耗散功率(Pd) | 1.7W | |
输入电容(Ciss) | 210pF | |
输出电容(Coss) | 28pF | |
连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.793/个 |
50+ | ¥0.618/个 |
150+ | ¥0.53/个 |
500+ | ¥0.465/个 |
3000+ | ¥0.412/个 |
6000+ | ¥0.386/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.386
3000 PCS/盘
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