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STP55NF06
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STP55NF06
- 商品编号
- C10657
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00274千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):105pF,导通电阻(RDS(on)):0.018Ω@10V,27.5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):60nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):1530pF,输出电容(Coss):300pF,连续漏极电流(Id):50A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.018Ω@10V,27.5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 输入电容(Ciss) | 1530pF | |
| 输出电容(Coss) | 300pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.77/个 |
| 10+ | ¥3.08/个 |
| 50+ | ¥2.73/个 |
| 100+ | ¥2.39/个 |
| 500+ | ¥2.19/个 |
| 1000+ | ¥2.08/个 |
| 2000+ | ¥2.06/个 |
| 4000+ | ¥2.04/个 |
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