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FDD8444
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDD8444
- 商品编号
- C10869
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000438千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):332pF,导通电阻(RDS(on)):9.4mΩ@10V,50A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):116nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:-,耗散功率(Pd):153W,输入电容(Ciss):6195pF,输出电容(Coss):585pF,连续漏极电流(Id):145A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 332pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.4mΩ@10V,50A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 153W | |
| 输入电容(Ciss) | 6195pF | |
| 输出电容(Coss) | 585pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 145A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.3/个 |
| 10+ | ¥4.22/个 |
| 30+ | ¥3.68/个 |
| 100+ | ¥3.14/个 |
| 500+ | ¥2.82/个 |
| 1000+ | ¥2.66/个 |
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