反向传输电容(Crss):15pF,导通电阻(RDS(on)):800mΩ@1.8V,450mA,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):200mW,输入电容(Ciss):120pF,输出电容(Coss):20pF,连续漏极电流(Id):0.75A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@1.8V,450mA | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.75A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.199/个 |
| 200+ | ¥0.158/个 |
| 600+ | ¥0.136/个 |
| 3000+ | ¥0.107/个 |
| 9000+ | ¥0.0947/个 |
| 21000+ | ¥0.0883/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09844
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