反向传输电容(Crss):145pF,导通电阻(RDS(on)):23mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@2.5V,导通电阻(RDS(on)):41mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):15.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:-,耗散功率(Pd):0.81W,输入电容(Ciss):1610pF,输出电容(Coss):157pF,连续漏极电流(Id):3.6A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):0.7V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 145pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@2.5V | |
导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@1.8V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15.4nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 0.81W | |
输入电容(Ciss) | 1610pF | |
输出电容(Coss) | 157pF | |
连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.371/个 |
100+ | ¥0.296/个 |
300+ | ¥0.258/个 |
3000+ | ¥0.203/个 |
6000+ | ¥0.18/个 |
9000+ | ¥0.169/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.18676
3000 PCS/盘
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