反向传输电容(Crss):58pF,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):165mΩ@2.5V,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):4.3nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:-,耗散功率(Pd):1.08W,输入电容(Ciss):250pF,输出电容(Coss):88pF,连续漏极电流(Id):2.7A,阈值电压(Vgs(th)):1.25V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 58pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@2.5V | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 1.08W | |
输入电容(Ciss) | 250pF | |
输出电容(Coss) | 88pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.383/个 |
100+ | ¥0.307/个 |
300+ | ¥0.268/个 |
3000+ | ¥0.239/个 |
6000+ | ¥0.216/个 |
9000+ | ¥0.205/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.21988
3000 PCS/盘
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