反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):450mΩ@6V,1.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5.4nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):274pF,输出电容(Coss):21pF,连续漏极电流(Id):2.4A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 11pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@6V,1.3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 274pF | |
输出电容(Coss) | 21pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.69/个 |
10+ | ¥2.18/个 |
30+ | ¥1.97/个 |
100+ | ¥1.7/个 |
500+ | ¥1.58/个 |
1000+ | ¥1.5/个 |
2000+ | ¥1.49/个 |
4000+ | ¥1.48/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.38
1000 PCS/盘
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