反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):0.27Ω@4V,8.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):66nC@5.0V,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):1800pF,输出电容(Coss):400pF,连续漏极电流(Id):17A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 120pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.27Ω@4V,8.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 66nC@5.0V | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 125W | |
输入电容(Ciss) | 1800pF | |
输出电容(Coss) | 400pF | |
连续漏极电流(Id) | 17A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥7.92/个 |
10+ | ¥7.18/个 |
50+ | ¥5.96/个 |
100+ | ¥5.5/个 |
500+ | ¥5.3/个 |
1000+ | ¥5.21/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.4832
50 PCS/盘
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