反向传输电容(Crss):9.5pF,导通电阻(RDS(on)):0.07Ω@10V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):124nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):330W,输入电容(Ciss):4285pF,输出电容(Coss):212pF,连续漏极电流(Id):44A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.07Ω@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 输入电容(Ciss) | 4285pF | |
| 输出电容(Coss) | 212pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥16.72/个 |
| 10+ | ¥14.01/个 |
| 30+ | ¥12.32/个 |
| 100+ | ¥10.58/个 |
| 500+ | ¥9.79/个 |
| 1000+ | ¥9.45/个 |
整盘
单价
整盘单价¥11.3344
30 PCS/盘
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