反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):7.5Ω@10V,0.5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):40V,类型:-,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):40pF,输出电容(Coss):20pF,连续漏极电流(Id):0.18A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V,0.5A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 40pF | |
输出电容(Coss) | 20pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.18A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.203/个 |
200+ | ¥0.158/个 |
600+ | ¥0.133/个 |
2000+ | ¥0.118/个 |
10000+ | ¥0.0961/个 |
20000+ | ¥0.0891/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.089
10000 PCS/盘
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