导通电阻(RDS(on)):0.058Ω@2.5V,4A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.4W,连续漏极电流(Id):5.8A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.058Ω@2.5V,4A | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |