反向传输电容(Crss):160pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):12V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.3W,输入电容(Ciss):750pF,输出电容(Coss):230pF,连续漏极电流(Id):4.3A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 160pF | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 12V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.3W | |
输入电容(Ciss) | 750pF | |
输出电容(Coss) | 230pF | |
连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.353/个 |
100+ | ¥0.275/个 |
300+ | ¥0.236/个 |
3000+ | ¥0.207/个 |
6000+ | ¥0.184/个 |
9000+ | ¥0.172/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.191
3000 PCS/盘
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