传播延迟(tpd):300ns,共模抑制比(CMRR):-,单电源:2V~36V,双电源(Vee ~ Vcc):1V~18V,双电源(Vee ~ Vcc):1V~18V,响应时间(tr):1.3us,工作温度:-40℃~+105℃,最大电源宽度(Vdd-Vss):36V,比较器数:-,比较器数:四路,滞后电压(Vhys):-,输入偏置电流(Ib):25nA,输入失调电压(Vos):1mV,输入失调电流(Ios):5nA,输出模式:MOS,输出模式:DTL,输出模式:CMOS,输出模式:TTL,输出模式:ECL,输出类型:-,输出类型:TTL,输出类型:开射,输出类型:开射,输出类型:开射,输出类型:开集,输出类型:ECL,输出类型:MOS,输出类型:TTL,静态电流(Iq):1.1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 传播延迟(tpd) | 300ns | |
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 单电源 | 2V~36V | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 1V~18V | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 1V~18V | |
| 响应时间(tr) | 1.3us | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V | |
| 比较器数 | - | |
| 比较器数 | 四路 | |
| 滞后电压(Vhys) | - | |
| 输入偏置电流(Ib) | 25nA | |
| 输入失调电压(Vos) | 1mV | |
| 输入失调电流(Ios) | 5nA | |
| 输出模式 | MOS | |
| 输出模式 | DTL | |
| 输出模式 | CMOS | |
| 输出模式 | TTL | |
| 输出模式 | ECL | |
| 输出类型 | - | |
| 输出类型 | TTL | |
| 输出类型 | 开射 | |
| 输出类型 | 开射 | |
| 输出类型 | 开射 | |
| 输出类型 | 开集 | |
| 输出类型 | ECL | |
| 输出类型 | MOS | |
| 输出类型 | TTL | |
| 静态电流(Iq) | 1.1mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.28/个 |
| 50+ | ¥0.992/个 |
| 150+ | ¥0.869/个 |
| 500+ | ¥0.715/个 |
| 2500+ | ¥0.646/个 |
| 5000+ | ¥0.605/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.59432
2500 PCS/盘
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