反向传输电容(Crss):59pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):24.2nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.9W,输入电容(Ciss):1407pF,输出电容(Coss):121pF,连续漏极电流(Id):7.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 59pF | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 24.2nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 3.9W | |
输入电容(Ciss) | 1407pF | |
输出电容(Coss) | 121pF | |
连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥4.32/个 |
10+ | ¥3.47/个 |
30+ | ¥3.05/个 |
100+ | ¥2.63/个 |
500+ | ¥2.38/个 |
1000+ | ¥2.25/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.0736
1000 PCS/盘
嘉立创补贴7.84%
一盘能省掉176.4元