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FDS86242
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDS86242
- 商品编号
- C113197
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000207千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):85pF,导通电阻(RDS(on)):98mΩ@6V,3.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):5W,耗散功率(Pd):5W,输入电容(Ciss):760pF,输出电容(Coss):64pF,连续漏极电流(Id):4.1A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@6V,3.3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 输出电容(Coss) | 64pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.99/个 |
| 10+ | ¥2.6/个 |
| 30+ | ¥2.4/个 |
| 100+ | ¥2.2/个 |
| 500+ | ¥2.09/个 |
| 1000+ | ¥2.03/个 |
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