反向传输电容(Crss):87pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@1.8V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):660pF,输出电容(Coss):160pF,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 87pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@1.8V,5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 660pF | |
输出电容(Coss) | 160pF | |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.319/个 |
100+ | ¥0.255/个 |
300+ | ¥0.223/个 |
3000+ | ¥0.199/个 |
6000+ | ¥0.18/个 |
9000+ | ¥0.17/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.18308
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉47.76元