反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):43mΩ@4.5V,4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5.2nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):255pF,输出电容(Coss):45pF,连续漏极电流(Id):5.8A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 35pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@4.5V,4A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 255pF | |
输出电容(Coss) | 45pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.342/个 |
100+ | ¥0.268/个 |
300+ | ¥0.231/个 |
3000+ | ¥0.203/个 |
6000+ | ¥0.18/个 |
9000+ | ¥0.169/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.18676
3000 PCS/盘
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