反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):35mΩ@2.5V,4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V,4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.305/个 |
| 100+ | ¥0.236/个 |
| 300+ | ¥0.201/个 |
| 3000+ | ¥0.175/个 |
| 6000+ | ¥0.154/个 |
| 9000+ | ¥0.144/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.161
3000 PCS/盘
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