反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):50V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):225mW,输入电容(Ciss):30pF,输出电容(Coss):10pF,连续漏极电流(Id):0.13A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 225mW | |
输入电容(Ciss) | 30pF | |
输出电容(Coss) | 10pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.13A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.129/个 |
200+ | ¥0.102/个 |
600+ | ¥0.0869/个 |
3000+ | ¥0.0755/个 |
9000+ | ¥0.0677/个 |
21000+ | ¥0.0635/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06946
3000 PCS/盘
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