反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):74mΩ@4.5V,4A,工作温度:-,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):520pF,输出电容(Coss):100pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 65pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@4.5V,4A | |
工作温度 | - | |
数量 | 2个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 520pF | |
输出电容(Coss) | 100pF | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.681/个 |
50+ | ¥0.665/个 |
150+ | ¥0.654/个 |
500+ | ¥0.644/个 |
510+ | ¥0.644/个 |
520+ | ¥0.644/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.59248
3000 PCS/盘
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