反向传输电容(Crss):26pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):28nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:-,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1350pF,输出电容(Coss):405pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2.3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 26pF | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 1350pF | |
输出电容(Coss) | 405pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥11.04/个 |
10+ | ¥9.43/个 |
30+ | ¥8.43/个 |
100+ | ¥7.4/个 |
500+ | ¥6.94/个 |
1000+ | ¥6.74/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.2008
2500 PCS/盘
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