反向传输电容(Crss):44pF,导通电阻(RDS(on)):63mΩ@2.5V,3.7A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):436pF,输出电容(Coss):66pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 44pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@2.5V,3.7A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 436pF | |
输出电容(Coss) | 66pF | |
连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.39/个 |
10+ | ¥0.303/个 |
30+ | ¥0.26/个 |
100+ | ¥0.225/个 |
500+ | ¥0.199/个 |
1000+ | ¥0.186/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.186
3000 PCS/盘