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IRF8707TRPBF
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IRF8707TRPBF
- 商品编号
- C116841
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000275千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):82pF,导通电阻(RDS(on)):17.5mΩ@4.5V,8.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):760pF,输出电容(Coss):170pF,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):2.35V@25uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V,8.8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 输出电容(Coss) | 170pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V@25uA |
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