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SIHP18N50C-E3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SIHP18N50C-E3
- 商品编号
- C11739
- 商品封装
- TO-220AB
- 商品毛重
- 0.00264千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.27Ω@10V,10A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):76nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):223W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.27Ω@10V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 223W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.531/个 |
| 10+ | ¥8.181/个 |
| 50+ | ¥7.272/个 |
| 100+ | ¥6.399/个 |
| 500+ | ¥6.003/个 |
| 1000+ | ¥5.841/个 |
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