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FQPF6N80C
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQPF6N80C
- 商品编号
- C11760
- 商品封装
- TO-220F-3
- 商品毛重
- 0.00289千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@10V,2.75A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):51W,输入电容(Ciss):1310pF,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):5.5A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V,2.75A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 51W | |
| 输入电容(Ciss) | 1310pF | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.75/个 |
| 10+ | ¥8.87/个 |
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| 100+ | ¥7.76/个 |
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| 1000+ | ¥7.4/个 |
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