射基极击穿电压(Vebo):7V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):120MHz,直流电流增益(hFE):100@0.6A,2V,耗散功率(Pd):1W,集射极击穿电压(Vceo):60V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.25V@1.5A,0.15A,集电极截止电流(Icbo):10uA,集电极电流(Ic):3A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个NPN | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 120MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@0.6A,2V | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.25V@1.5A,0.15A | |
集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
集电极电流(Ic) | 3A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.0047/个 |
50+ | ¥0.803/个 |
150+ | ¥0.716/个 |
500+ | ¥0.608/个 |
2500+ | ¥0.501/个 |
5000+ | ¥0.472/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.46092
2500 PCS/盘
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