反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):50V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):26pF,输出电容(Coss):6pF,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):0.8V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3pF | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 26pF | |
输出电容(Coss) | 6pF | |
连续漏极电流(Id) | 200mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V@1mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.375/个 |
100+ | ¥0.293/个 |
300+ | ¥0.252/个 |
1000+ | ¥0.221/个 |
5000+ | ¥0.197/个 |
8000+ | ¥0.184/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.181
8000 PCS/盘
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