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Si2308BDS-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- Si2308BDS-T1-GE3
- 商品编号
- C12298
- 商品封装
- SOT-23-3
- 商品毛重
- 0.000035千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.192Ω@4.5V,1.7A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.8nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.8W,耗散功率(Pd):1.66W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):2.3A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.192Ω@4.5V,1.7A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 耗散功率(Pd) | 1.66W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.471/个 |
| 50+ | ¥1.184/个 |
| 150+ | ¥1.0607/个 |
| 500+ | ¥0.907/个 |
| 3000+ | ¥0.669/个 |
| 6000+ | ¥0.628/个 |
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