反向传输电容(Crss):85pF,导通电阻(RDS(on)):66mΩ@10V,19.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):49nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):37W,输入电容(Ciss):2130pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):39A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 85pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@10V,19.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 37W | |
输入电容(Ciss) | 2130pF | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 39A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥17.7/个 |
10+ | ¥15.3/个 |
50+ | ¥12.94/个 |
100+ | ¥11.4/个 |
500+ | ¥10.71/个 |
1000+ | ¥10.4/个 |
整盘
单价
整盘单价¥11.9048
50 PCS/盘
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