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FDN360P
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDN360P
- 商品编号
- C124463
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.00003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):39pF,导通电阻(RDS(on)):125mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):9nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):298pF,输出电容(Coss):83pF,连续漏极电流(Id):2A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 298pF | |
| 输出电容(Coss) | 83pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0729/个 |
| 50+ | ¥0.852/个 |
| 150+ | ¥0.758/个 |
| 500+ | ¥0.64/个 |
| 3000+ | ¥0.496/个 |
| 6000+ | ¥0.464/个 |
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