反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.36W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):0.18A,阈值电压(Vgs(th)):1.7V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.36W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 0.18A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.497/个 |
50+ | ¥0.391/个 |
150+ | ¥0.337/个 |
500+ | ¥0.297/个 |
3000+ | ¥0.248/个 |
6000+ | ¥0.232/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.236
3000 PCS/盘
嘉立创补贴4.84%
一盘能省掉36元