反向传输电容(Crss):111pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@2.5V,2.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:-,耗散功率(Pd):1.38W,输入电容(Ciss):603pF,输出电容(Coss):144pF,连续漏极电流(Id):5.3A,阈值电压(Vgs(th)):1.25V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 111pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@2.5V,2.6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 1.38W | |
输入电容(Ciss) | 603pF | |
输出电容(Coss) | 144pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.0909/个 |
50+ | ¥0.864/个 |
150+ | ¥0.767/个 |
500+ | ¥0.646/个 |
3000+ | ¥0.551/个 |
6000+ | ¥0.519/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.50692
3000 PCS/盘
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