反向传输电容(Crss):111pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@2.5V,2.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:-,耗散功率(Pd):1.38W,输入电容(Ciss):603pF,输出电容(Coss):144pF,连续漏极电流(Id):5.3A,阈值电压(Vgs(th)):1.25V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 111pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@2.5V,2.6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.38W | |
| 输入电容(Ciss) | 603pF | |
| 输出电容(Coss) | 144pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0364/个 |
| 50+ | ¥0.821/个 |
| 150+ | ¥0.729/个 |
| 500+ | ¥0.613/个 |
| 3000+ | ¥0.524/个 |
| 6000+ | ¥0.493/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.48208
3000 PCS/盘
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