反向传输电容(Crss):85pF,导通电阻(RDS(on)):90mΩ@2.5V,1.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):1500pF,输出电容(Coss):90pF,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 85pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@2.5V,1.8A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 1500pF | |
输出电容(Coss) | 90pF | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |