反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@4.5V,9A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,类型:-,耗散功率(Pd):31.3W,输入电容(Ciss):2660pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V,9A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 2660pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.879/个 |
| 50+ | ¥1.49/个 |
| 150+ | ¥1.323/个 |
| 500+ | ¥1.0596/个 |
| 3000+ | ¥0.917/个 |
| 6000+ | ¥0.864/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.84364
3000 PCS/盘
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