反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):6mΩ@10V,40A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,类型:-,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):3700pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,40A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 125W | |
输入电容(Ciss) | 3700pF | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.8/个 |
10+ | ¥3.38/个 |
30+ | ¥3.18/个 |
100+ | ¥2.98/个 |
500+ | ¥2.85/个 |
1000+ | ¥2.79/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.5668
3000 PCS/盘
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