反向传输电容(Crss):67pF,导通电阻(RDS(on)):0.0042Ω@10V,55A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):117nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):8115pF,输出电容(Coss):1510pF,连续漏极电流(Id):110A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 67pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.0042Ω@10V,55A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 117nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 250W | |
输入电容(Ciss) | 8115pF | |
输出电容(Coss) | 1510pF | |
连续漏极电流(Id) | 110A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥9.28/个 |
10+ | ¥7.66/个 |
50+ | ¥6.78/个 |
100+ | ¥5.77/个 |
500+ | ¥5.33/个 |
1000+ | ¥5.13/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.2376
50 PCS/盘
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