反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):1.38Ω@10V,4.15A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):113nC@10V,漏源电压(Vdss):1000V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):230W,输入电容(Ciss):3500pF,输出电容(Coss):270pF,连续漏极电流(Id):8.3A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@100uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 60pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.38Ω@10V,4.15A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 113nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 1000V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 230W | |
输入电容(Ciss) | 3500pF | |
输出电容(Coss) | 270pF | |
连续漏极电流(Id) | 8.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥20.3/个 |
10+ | ¥17.38/个 |
30+ | ¥15.64/个 |
100+ | ¥13.89/个 |
500+ | ¥13.08/个 |
1000+ | ¥12.71/个 |
2000+ | ¥12.55/个 |
4000+ | ¥12.55/个 |
整盘
单价
整盘单价¥14.3888
30 PCS/盘
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