反向传输电容(Crss):80pF,导通电阻(RDS(on)):190mΩ@2.5V,2A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.14W,输入电容(Ciss):447pF,输出电容(Coss):127pF,连续漏极电流(Id):2.8A,阈值电压(Vgs(th)):0.45V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 80pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@2.5V,2A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.14W | |
输入电容(Ciss) | 447pF | |
输出电容(Coss) | 127pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.45V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.402/个 |
100+ | ¥0.32/个 |
300+ | ¥0.278/个 |
3000+ | ¥0.242/个 |
6000+ | ¥0.218/个 |
9000+ | ¥0.205/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.22264
3000 PCS/盘
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