反向传输电容(Crss):48pF,导通电阻(RDS(on)):236mΩ@2.5V,2.1A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):2.9nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:-,耗散功率(Pd):1.3W,输入电容(Ciss):220pF,输出电容(Coss):70pF,连续漏极电流(Id):2.6A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@10uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 48pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 236mΩ@2.5V,2.1A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 1.3W | |
输入电容(Ciss) | 220pF | |
输出电容(Coss) | 70pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@10uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.741/个 |
50+ | ¥0.578/个 |
150+ | ¥0.496/个 |
500+ | ¥0.435/个 |
3000+ | ¥0.386/个 |
6000+ | ¥0.361/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.36
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