反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):13.5Ω@10V,100mA,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):0.35nC@5V,漏源电压(Vdss):50V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):420mW,耗散功率(Pd):1.14W,输入电容(Ciss):36pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):180mA,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5Ω@10V,100mA | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.35nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 420mW | |
| 耗散功率(Pd) | 1.14W | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.96/个 |
| 10+ | ¥4.8/个 |
| 30+ | ¥4.23/个 |
| 100+ | ¥3.504/个 |
| 500+ | ¥3.178/个 |
| 1000+ | ¥3.0048/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.834
3000 PCS/盘
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