块擦除时间(tBE):1ms,存储容量:1Gbit,工作温度:-40℃~+105℃,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:80uA,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):10年,页写入时间(Tpp):300us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 块擦除时间(tBE) | 1ms | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 80uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 页写入时间(Tpp) | 300us |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥14.55/个 |
| 10+ | ¥12.34/个 |
| 30+ | ¥10.96/个 |
| 96+ | ¥9.54/个 |
| 480+ | ¥8.9/个 |
| 960+ | ¥8.62/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.7768
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