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FDP075N15A-F102
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDP075N15A-F102
- 商品编号
- C128790
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00312千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):21pF,导通电阻(RDS(on)):7.5mΩ@10V,100A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):100nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):333W,输入电容(Ciss):7350pF,输出电容(Coss):685pF,连续漏极电流(Id):130A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,100A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 输入电容(Ciss) | 7350pF | |
| 输出电容(Coss) | 685pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥14.1/个 |
| 10+ | ¥11.9/个 |
| 50+ | ¥10.05/个 |
| 100+ | ¥8.64/个 |
| 500+ | ¥8.01/个 |
| 800+ | ¥7.73/个 |
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