射基极击穿电压(Vebo):3V,工作温度:-,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):650MHz,直流电流增益(hFE):-,耗散功率(Pd):225mW,集射极击穿电压(Vceo):25V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.5V@4mA,0.4mA,集电极截止电流(Icbo):0.1uA,集电极电流(Ic):50mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个NPN | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 650MHz | |
直流电流增益(hFE) | - | |
耗散功率(Pd) | 225mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.5V@4mA,0.4mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA | |
集电极电流(Ic) | 50mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.211/个 |
200+ | ¥0.167/个 |
600+ | ¥0.143/个 |
3000+ | ¥0.129/个 |
9000+ | ¥0.116/个 |
21000+ | ¥0.11/个 |
39000+ | ¥0.108/个 |
81000+ | ¥0.108/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.11868
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