反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):130mΩ@2.5V,2A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):16V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@2.5V,2A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0711/个 |
| 200+ | ¥0.0554/个 |
| 600+ | ¥0.0466/个 |
| 3000+ | ¥0.0396/个 |
| 9000+ | ¥0.0351/个 |
| 21000+ | ¥0.0326/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.0396
3000 PCS/盘