反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):305pC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.83W,输入电容(Ciss):30pF,输出电容(Coss):4.2pF,连续漏极电流(Id):0.5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3pF | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 305pC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.83W | |
输入电容(Ciss) | 30pF | |
输出电容(Coss) | 4.2pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.5A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.188/个 |
200+ | ¥0.145/个 |
600+ | ¥0.122/个 |
3000+ | ¥0.103/个 |
9000+ | ¥0.0905/个 |
21000+ | ¥0.084/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09476
3000 PCS/盘
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