温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
TLV350x 4.5纳秒，轨到轨，高速比较器在微型封装中
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- TLV3502AIDR
- 商品编号
- C131165
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000173千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
传播延迟(tpd):4.5ns,共模抑制比(CMRR):70dB,单电源:2.7V~5.5V,双电源(Vee ~ Vcc):1.35V~2.75V,双电源(Vee ~ Vcc):-2.75V~-1.35V,响应时间(tr):1.5ns,工作温度:-40℃~+125℃,最大电源宽度(Vdd-Vss):5.5V,比较器数:双路,滞后电压(Vhys):6mV,轨到轨:轨到轨输入,轨到轨输出,输入偏置电流(Ib):2pA,输入失调电压(Vos):1mV,输入失调电压温漂(Vos TC):5uV/℃,输入失调电流(Ios):2pA,输出模式:TTL,输出模式:CMOS,输出类型:推挽,静态电流(Iq):3.2mA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 传播延迟(tpd) | 4.5ns | |
| 共模抑制比(CMRR) | 70dB | |
| 单电源 | 2.7V~5.5V | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 1.35V~2.75V | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | -2.75V~-1.35V | |
| 响应时间(tr) | 1.5ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 5.5V | |
| 比较器数 | 双路 | |
| 滞后电压(Vhys) | 6mV | |
| 轨到轨 | 轨到轨输入,轨到轨输出 | |
| 输入偏置电流(Ib) | 2pA | |
| 输入失调电压(Vos) | 1mV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 5uV/℃ | |
| 输入失调电流(Ios) | 2pA | |
| 输出模式 | TTL | |
| 输出模式 | CMOS | |
| 输出类型 | 推挽 | |
| 静态电流(Iq) | 3.2mA |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.17/个 |
| 10+ | ¥8.38/个 |
| 30+ | ¥7.39/个 |
| 100+ | ¥5.97/个 |
| 500+ | ¥5.485/个 |
| 1000+ | ¥5.257/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥5.257
2500 PCS/盘
送
换料费券¥300
库存总量
686 PCS电话
顶部
元器件购物车